Info: Zenodo’s user support line is staffed on regular business days between Dec 23 and Jan 5. Response times may be slightly longer than normal.

Norwegian Journal of development of the International Science
Published June 26, 2023 | Version v1
Journal article Open

CHEMICAL INTERACTIONS AND GLASS FORMATION IN THE As2S3 – TlGaSe2 SYSTEM

Creators

  • 1. Ph.D., Associate Professor, Adiyaman University, Faculty of Arts and Sciences, Department of Chemistry, Turkey

Description

Abstract

The T-х phase diagram of the As2S3-TlGaSe2 system was built using the methods of physical and chemical analysis: differential thermal analysis (DTA), X-ray phase analysis (XRD), microstructural analysis (MSA), as well as microhardness and density measurements. It has been established that the phase diagram of the As2S3 - TlGaSe2 system belongs to the quasi-binary eutectic type. Limited areas of solid solutions based on the initial components were found in the system. Solid solutions based on As2S3 reach up to 1.5 mol % TlGaSe2, and based on TlGaS2 up     to -12 mol % As2S3. The As2S3 and TlGaSe2 compounds form a eutectic with a composition of 20 mol % As2S3, temperature 260°C. During conventional cooling in the As2S3-TlGaSe2 system based on As2S3, the glass formation region expands to 15 mol % TlGaSe2.

Aннотация

Т-х фазовая диаграмма системы As2S3-TlGaSe2 построена с использованием методов физико-химического анализа: дифференциального термического анализа (ДТА), рентгенофазового анализа (РФА), микроструктурного анализа (МСА), а также измерением микротвердости и плотности. Установлено, что фазовая диаграмма системы As2S3 - TlGaSe2 относится к квазибинарному эвтектическому типу. В системе обнаружены ограниченные участки твердых растворов на основе исходных компонентов. Твердые растворы на основе As2S3 достигают до 1,5 мол. % TlGaSe2, а на основе TlGaS2 до -12 мол. % As2S3. Соединения As2S3 и TlGaSe2 образуют эвтектику состава 20 мол. % As2S3, при температуре 255°С. При обычном охлаждении в системе As2S3-TlGaSe2 на основе As2S3 область стеклообразования расширяется до 15 мол. % TlGaSe2.

Notes

Список литературы: 1. Dinesh Chandra SATI1, Rajendra KUMAR, Ram Mohan MEHRA Influence of Thick-ness Oil Optical Properties of a: As2Se3 Thin Films // Turk J Phys, 2006. V.30. P.519- 527. 2. Lovu M., Shutov S., Rebeja S., Colomeyco E., Popescu M. Effect of metal additives on photodarkening kinetics in amorphous As2Se3 films // Journal of Optoelectronics and Advanced Ma-terials 2000. V. 2, Issue: 1. P 53-58. 3. Jun J. Li Drabold. D. A.. Atomistic comparison between stoichiometric and nonstoichio-metric glasses: The cases of As2Se3 and As4Se4 // Phys. Rev. 2001, V. 64. P. 104206-104213. 4. Кириленко В.В., Дембовский С.А., Поляков Ю.А. Оптические свойства стекол в системах As2S3–TlS и As2Se3–TlSe // Известия АН СССР. Неорганические материалы, 1975, т.11, №11, с.1923-1928. 5. Алиев И.И., Бабанлы М.Б., Фарзалиев А.А. Оптические и фотоэлектрические свойства тонких пленок стекол (As2Sе3)1-х(TlSе)х (х=0,05-0,10) // XI Международная конфе-ренция по физике и технологии тонких пленок. Иваново-Франковск, Украина, 7-12 мая, 2007, с. 86. 6. Hineva Т., Petkova Т.,Popov С., Pektov P.. Reithmaier J. P., Funrmann-Lieker T., Axente E.. Sima F.. Mihailescu C. N., Socol G., Mihailescu I. N. Optical study of thin (As2Se3)1-x(AgI)x films // Journal of optoelektronics and Advanced Materials. 2007.V. 9. No. 2. February. P. 326 – 329. 7. Seema Kandpal, Kushwaha R. P. S.. Photoacoustic spectroscopy of thin films of As2S3, As2Se3 and GeSe2 // Indian Academy of Sciences. PRAM ANA journal of physics. 2007. V. 69. No. 3. P. 481-484. 8. Andriesh A.M., Verlan V. I.. Donor- and acceptor-like center revealing by Photocon-duktivity of amorphous thin As2Se3 films // Journal of Optoelectronic and Advanced Materials 2001. V. 3. No. 2, June. P. 455 – 458. 9. Бабаев А. А., Мурадов Р., Султанов С. Б., Асхабов А. М.. Влияние условий полу-чения на оптические и фотолюминесцентные свойства стеклообразных As2S3 // Неорган. материалы. 2008. №11. Т.44. С. 1187-1201. 10. Bhawana Dabas and R. K. Sinha Dispersion Properties of Chalcogenide As2Se3 Glass Photonic Crystal Fiber // ICOP 2009-International Conference on Optics and Photonics Chandigarh, India, 30 Oct.-1 Nov.2009. P. 123-127. 11. Littler I. С. M., Fu L. B.. Mägi E. C.. Pudo D., Eggleton B. J.. Widely tunable, acous-tooptic resonances in Chalcogenide As2Se3 fiber // Optics Express. 2006.V. 14. Issue 18. P. 8088- 8095. 12. Slusher R.E., Lenz G., Hodelin J., Sanghera J., Shaw L.B., and Aggarwal I.D. Large Raman gain and nonlinear phase shifts in high-purity As2Se3 Chalcogenide fibers // J. Opt. Soc. Am. 2004. B. 21. P. 1146-1155. 13. Jackson S.D. and Anzueto-Sánchez G. Chalcogenide glass Raman fiber laser // Appl. Phys. Lett., 2006. V.88. P. 221106. 14. Fu L.B., Fuerbach A., Littler I.C.M., and Eggleton B.J. Efficient optical pulse compres-sion using Chalcogenide single-mode fibers // Appl. Phys. Lett. 2006. V.88. P. 081116. 15. Fu L.B., Rochette M., Ta'eed V., Moss D., and Eggleton B.J. Investigation of self-phase modulation based optical regeneration in single mode As2Se3 Chalcogenide glass fiber // Opt. Ex-press 2005. V. 13. P. 7637-7642. 16. 16.Selahattin Ozdemir, Mahmut Bucurgat. Photoelectical properties of TlGaSe2 Single Crystals // Solid State Sciences 2014. V.33. P. 26-30. DOI:10.1016/j.solidstatesciences.2014.04.006 17. Alexander K Fedotov, M.I.Tarasik, T. G. Mammadov, Ivan Svito et.oil. Elektrical prop-erties of the layered single crystals TlGaSe2 and TlInS2 // Przeglad Elektrotechniczny. 2012. V. 88(7a). P. 301-304. 18. Şenturk E., Tumbek L., Salehli F., Mikailov F.A., Incommensurate phase properties of TlGaSe2 layered crystals, Crystal Research and Technology. 2005. 40. No. 3. P. 248-252. 19. Abdullayev N.A., Mammadov T.G. S u l e y m a n o v R . A . , Negative thermal ex-pansion in the layered semiconductor TlGaSe2, Physica Status Solidi (b), 242 (2005), 983-989. 20. Seyidov H.Yu., Suleymanov R.A., Anomalies in the electrophysical, thermal, and elastic properties of layered ferroelectric semiconductor TlGaSe2: Instability in the electronic subsystem, Physics of the Solid State. 2008. V. 50. P.1219-1226. 21. Ahmedova C. Phusico-chemical and X-ray structural investigation of alloys of the As2S3-TlInTe2 system // Norwegian Journal of development of the International Science No 89/2022.P. 13-18. https://doi.org/10.5281/zenodo.6912603 22. Ahmedova C. Synthesis and investigation of glass formation and properties of obtained phases in the As2S3-TlInSe2 system. Norwegian Journal of development of the International Science No 87/2022. P. 12-17. https://doi.org/10.5281/zenodo.6778279 23. Ahmedova C. Chemical interaction and glass formation in the As2S3-TlInS2 system and the properties hte obtained phases // The scientific heritage No 93 (2022). P. 7-11. 24. Хворестенко A.C. Халькогениды мышьяка. Обзор из серии Физические и хими-ческие свойства твердого тела. - М., 1972. 93 с. 25. Гусуйинов Г.Д., Сеидов Ф.М., Пащаев А.М., Халилов Х.Я., Нани Р.Х. Исследо-вание системы TlS-GaS. Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1972. Т.7. № 1. С.1-2. 26. Hahn H., Wellman B. Uber ternare chalcogenides des Thallium mit gallium und Indium // J. Natuewiss. 1967.V.54. № 2. P.42-45.

Files

NJD_111-8-13.pdf

Files (861.1 kB)

Name Size Download all
md5:1e1dcc3c41611292fb69095d16a2fd33
861.1 kB Preview Download