Электронная структура и оптические свойства твердого раствора (Ge2)1-x(InP)x

Ранее нами был получен твердый раствор x x (Ge ) (InP) 2 1 из класса x x IV (C ) (A B ) 3 5 2 1 [1,2] методом жидкофазной эпитаксии. В данной работе приведены результаты теоретических исследований зонной структуры и оптических свойств твердого раствора x x (Ge ) (InP) 2 1 методом самосогласованного псевдопотенциала с помощью теории функционала плотности в рамках локальной плотности заряда для твердых растворов (Ge2)1 (InP)0, (Ge2)0,5(InP)0,5, (Ge2)0,25(InP)0,75 и (Ge2)0 (InP)1. Результаты расчетов зонной структуры твердого раствора x x (Ge ) (InP) 2 1 для этих составов приведен на рис 1. Аналогичное исследование проведено в [3] для твердого раствора Ge x AsGa x ( ) ( ) 2 1 методом линейная комбинация атомных орбиталей.