La densité de charge, observable de la liaison chimique

Cet ouvrage, en libre accès et destiné aux étudiants de master, de doctorat et aux chercheurs, présente la densité de charge électronique comme l'observable centrale de la liaison chimique dans les semiconducteurs tétraédriques et leurs alliages. Il rassemble et réorganise un programme de recherche mené depuis la fin des années 1980, pour l'essentiel à l'Université Djillali Liabès de Sidi Bel Abbès (plus de 130 articles publiés entre 1989 et 1999).

L'ouvrage est construit autour de trois approches complémentaires :

• le calcul, par la méthode du pseudopotentiel empirique (facteurs de forme symétriques et antisymétriques, densités de valence et de bord de bande, approximation du cristal virtuel et désordre) ;
• l'interprétation, par les gaps homopolaire et hétéropolaire de Phillips et Van Vechten, l'ionicité et la stabilité structurale, y compris les modèles d'ionicité et de module de compressibilité développés par l'auteur et son équipe ;
• la mesure, par l'annihilation du positon dans le modèle des particules indépendantes (IPM) : distribution du positon, densité de moment électron-positon, repliement Lock-Crisp-West (LCW), affinité et travail de sortie.

La liaison est ensuite suivie sous pression, dans les alliages désordonnés, en fonction de la température et sous contrainte. Un dernier chapitre confronte ces résultats aux méthodes ab initio modernes : DFT, DFT à deux composantes, GW, structures SQS. L'ouvrage comprend 16 figures, dont des structures de bandes, des cartes de densité de charge et du positon et un repliement LCW recalculés pour le livre, ainsi que la bibliographie complète de l'auteur pour la période 1989-1999.