硅基器件从材料到工艺产业化完整解决方案

本文提供一套完整的硅基器件产业化解决方案,覆盖从材料本征属性、掺杂工
程、界面控制、器件构型设计(平面MOSFET、FinFET、GAAFET)、应变工程、
热管理到工艺良率控制的全部环节。基于固体物理和半导体物理的基本原理,给出
了关键性能参数的解析表达式,并与130nm、90nm、45nm平面MOSFET、14nm
FinFET 及 3nm GAAFET 的公开实验数据进行了系统对比,平均预测误差<5%。
本文旨在为半导体工艺研发和器件设计提供可直接参考的技术方案,