Published February 13, 2026 | Version v1
Conference paper Open

YARIMOʻTKAZGICHLARDA ELEKTR MAYDONINING HOSIL BOʻLISHI VA UNI BOSHQARISHNING ZAMONAVIY METODLARI

Authors/Creators

  • 1. Fizika ta'lim yo'nalishi talabasi, NavDU
  • 2. Ilmiy rahbar: prof.

Description

Ushbu ilmiy maqolada yarimoʻtkazgichlarda elektr maydonining hosil bo‘lish jarayoni, uning fizikasiy asoslari, energetik zonalardagi potensial to‘siqlar va zaryad tashuvchilarning taqsimlanishi tahlil qilinadi. Shuningdek, elektr maydonini boshqarishning zamonaviy usullari — doping texnologiyasi, PN-o‘tishlarning shakllanishi, MOS tranzistorlarda gate potensialining roli, kvant o‘tish hodisalari va nanoelektron qurilmalar misolida ko‘rib chiqiladi. Maqola zamonaviy mikroelektronika, nanotexnologiyalar va integral sxemalar ishlab chiqarishdagi dolzarb masalalarni qamrab oladi.

Files

Boymurotov B 65-69 MPTTP (2).pdf

Files (278.0 kB)

Name Size Download all
md5:bb18bb3e4b1adb8cb6a777c1438f4179
278.0 kB Preview Download

Additional details

References

  • 1. S.M.Sze, "Physics of Semiconductor Devices". 2. Ben G.Streetman. "Solid State Electronic Devices". 3. Neamen. "Semiconductor Physics and Devices". 4. Modern Nanoelectronics Journals (2020-2025).