瞬态阶跃涡流致热效应:深纳米集成电路动态功耗的电磁本源

本文提出基于麦克斯韦方程组的阶跃涡流理论(SECT),揭示5纳米及以下工艺节点中动态功耗的电磁物理本源。该理论将传统开关电容模型重新解释为准静态极限下的投影,并通过能量守恒反演建模推导出包含互连几何参数的通用功耗表达式。跨架构芯片的定性分析验证了理论的核心项f·L·I²与实测功耗趋势的一致性。\n\n本预印本提出了基于麦克斯韦方程组的阶跃涡流理论(SECT),揭示了5nm及以上技术节点动态功耗的电磁物理起源。该理论将传统的开关-电容器模型重新解释为准静态投影,并通过基于能量守恒的逆建模推导出通用功率表达式。跨架构定性分析验证了核心项f·L·I² 和测量的功率趋势。

版本更新说明:
- 添加页眉图标设计
- 页脚添加永久DOI链接:https://doi.org/10.5281/zenodo.17564365
- 论文核心内容与v1.0保持一致

版本 1.2 - 语言优化和格式完善

更新内容:
- 修正了正文中的逻辑重复问题
- 优化了语言表达和标点符号使用
- 保持了v1.1的页眉图标和页脚DOI设计
- 论文核心理论和数据保持不变

本版本进一步提升了论文的可读性和逻辑严谨性。