Published November 4, 2025
| Version v1
Conference paper
Open
Ge₁₋ₓSnₓ qattiq qotishmasining elektron tuzilishini modellashtirish va tahlil qilish
Authors/Creators
- 1. Xorazm Viloyati Qòshkòpir tumani 44-son maktabining fizika fani òqituvchisi
Description
Mazkur maqolada Ge₁₋ₓSnₓ qattiq qotishmalarining elektron tuzilishini modellashtirish va tahlil qilish jarayonlari yoritilgan. Tadqiqotda elektron zonalar tuzilishining o‘zgarishi Sn konsentratsiyasiga bog‘liq holda o‘rganilgan. Kompyuter modellashtirish usullari yordamida energetik zonalar oralig‘i, to‘g‘ridan-to‘g‘ri va bilvosita o‘tishlar orasidagi farqlar, hamda qattiq qotishmaning optik va elektr xossalari tahlil qilindi. Natijalar Ge–Sn tizimining yarim o‘tkazgich sifatidagi imkoniyatlarini kengaytirish hamda nanoelektronika sohasida qo‘llash istiqbollarini aniqlashga xizmat qiladi.
Files
400-401.pdf
Files
(196.0 kB)
| Name | Size | Download all |
|---|---|---|
|
md5:f476cf8f5e7e0c414ea130db6238e3f2
|
196.0 kB | Preview Download |
Additional details
References
- 1. Oehme M. et al. "GeSn: A group IV material with direct band gap," Semiconductor Science and Technology, 2015.