Published October 30, 2025
| Version v1
Journal article
Open
PALLADIY ATOMLARI BILAN LEGIRLANGAN KREMNIY NA'MUNALARINING SIRTIY MORFOLOGIYASI VA TOPOLOGIYASI
Authors/Creators
- 1. Namangan viloyati, Namangan tuman ixtisoslashtirilgan maktab, fizika o'qituvchisi
Description
Ushbu maqolada palladiy atomlari bilan legirlangan kremniy (Si–Pd) namunalarning sirtiy morfologiyasi va topologiyasi o‘rganilgan. Tadqiqotda kremniy yuzasiga palladiy kiritilishi natijasida struktura va elektron xususiyatlardagi o‘zgarishlar tahlil qilindi. Skanning elektron mikroskopi (SEM) va atom-kuch mikroskopi (AFM) yordamida olingan natijalar yuzaning notekisligi, donachalar kattaligi hamda morfologik o‘zgarishlarni aniqlash imkonini berdi. Legirlanish jarayoni kremniyning fotoelektrik va issiqlikka bardoshlilik xususiyatlarini yaxshilashi mumkinligi ta’kidlandi.
Files
1520-1525.pdf
Files
(1.7 MB)
| Name | Size | Download all |
|---|---|---|
|
md5:c61e4a4cba51f9c8b18054d738b70475
|
1.7 MB | Preview Download |
Additional details
References
- 1.S. Z. Zaynabidinov, A. O. Qurbonov. Γ-nurlanishning nikel qo'shilgan kremniyning rekombinatsiya va fotovoltaik xususiyatlariga ta'siri / / Uzbek Journal of Physics, 2018, Vol.20(№2), Pp.105-111. 2.Utamuradova Sh.B., Daliev Sh.Kh., Stanchik A.V., Rakhmanov D.A. E3S Web of conferences. Vol.402. Pp.14014(1-9), (2023). 3.S.Z.Zainabidinov, K.N.Musayev, N.A.Turgunov, A.R.Turayev. Dopant Microassociation Mechanisms in Si〈Mn〉 and Si〈Ni〉. // Inorganic Materials, 2012, Vol. 48, No. 11, Pp. 1065–1069. 4.I.S. Smirnovn, I.G. Dyachkovan, E.G. Novoselova // Modern Electronic Materials. 2016, 2, 29–32. 5.Turgunov N.A., Berkinov E.Kh., Turmanova R.M. E3S Web of conferences. 2023, Vol.402. Pp.14018(1-8). 6.Yoqubjonov Jamshidbek "pd kirishmasining kremniyning elektrofizik xossalariga ta'siri" mavzusidagi magistrlik dissertatsiya ishi Toshkent 2025 7.Fedorov P.A., Smagina T.P., Pavlova L.V. Electrical activity of Pd impurities in silicon. Materials Science in Semiconductor Processing, Vol. 140, 2024, 107590. 8.Якубов М.А., Утамуродова Ш.Б. Энергетические уровни и рекомбинационные центры в Pd–Si системах. Физика полупроводников и микроэлектроника, 2022, №4, С. 28–34.