Ge2, GaAs va ZnSe ning Bi dagi eruvchanligining haroratga bog'liqligini taxlil qilish

Ushbu maqolada Bi (vismut) asosidagi aralashma eritmalar yordamida qattiq qorishmalarni suyuq fazadan epitaksiyalash jarayoni o‘rganildi. Asosiy e’tibor (Ge₂)₁₋ₓ₋ᵧ(ZnSe)₁₋ₓ(GaAs₁₋δBiδ)ᵧ turdagi qattiq qorishmalarning o‘sish sharoitlari va struktura xossalariga qaratildi. Aralashma eritmada komponentlarning eruvchanligi, eritma tarkibi va o‘sish tezligining qatlam strukturasiga ta’siri eksperimental tarzda tahlil qilindi. Tadqiqotlar vismut eritmasida Ge₂, GaAs va ZnSe ning molekulyar diffuziya asosida o‘sishini va aralashma eritmaning to‘yinganlik darajasining muhimligini ko‘rsatdi. Harorat, sovitish tezligi va substratlar orasidagi masofa kabi texnologik parametrlarning epitaksiyalanish jarayoniga ta’siri baholandi.