Published February 22, 2025 | Version v1
Journal article Open

METAL-DIELECTRIC-SEMICONDUCTOR TRANSISTORS IN INTEGRAL CIRCUITS

Authors/Creators

  • 1. Nakhchivan State University

Description

Induced n-type channel MDY-transistors are widely used in the development of microcircuits. Induced nand p-type channel transistors are mainly used in complementary MDY-microcircuits. Of the n- and p-type channel transistors with the same structure, the n-type channel transistor has a higher frequency and larger curvature characteristic than the p-type channel transistor, making it superior to the p-type channel transistor. This advantage is explained by the fact that the mobility of electrons in the crystal is greater than that of holes. MDY-transistors differ from bipolar transistors in many ways. They can be created on a thin layer of silicon deposited on a dielectric substrate or on an oxidized silicon substrate. Microcircuits based on MDY-transistors have a high degree of integration, radiation resistance, and high-frequency operation.

Abstract (Russian)

Транзисторы MDY с индуцированным каналом n-типа широко применяются при производстве микросхем. В комплементарных MDY-микросхемах в основном используются транзисторы с индуцированным каналом n- и p-типа. Из транзисторов с каналом n- и p-типа с одинаковой структурой транзистор с 
каналом n-типа имеет более высокую частоту и большую кривизну характеристики, чем транзистор с каналом p-типа, что делает его более совершенным по сравнению с транзистором с каналом p-типа. Это преимущество объясняется тем, что подвижность электронов в кристалле больше, чем подвижность дырок.
MDY-транзисторы во многом отличаются от биполярных транзисторов. Их можно создать на тонком слое кремния, нанесенном на диэлектрическую подложку, или на окисленную кремниевую подложку. Микросхемы на основе транзисторов MDY обладают высокой степенью интеграции, радиационной стойкостью и высокочастотным режимом работы

Files

Deutsche internationale Zeitschrift für zeitgenössische Wissenschaft №98 2025-68-70.pdf

Files (671.2 kB)

Additional details

Additional titles

Alternative title (Russian)
МЕТАЛЛО-ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ TРАНЗИСТОРЫ В ИНТЕГРАЛЬНОЙ ЦЕПИ

References

  • 1. Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю. Определение плотности поверхностных состояний 2. Интерфейс полупроводник-диэлектрик в МДП-структуре // Физика и техника 3. Полупроводники, 2011, Т 45, вып. 2, стр. 178-182 4. Думин Л.К., Ребров В.Н., Федорович Ю.В. Изучение электрофизических свойств 5. окисленная кремниевая поверхность. Электронное приборостроение.- Л.; 1968, стр. 45-47 6. Думин Л.К., Ребров В.Н., Федорович Ю.В. Изучение структуры системы Si-SiO2 7. // Электронная техника, Серия 2 - Полупроводниковые приборы. 1969, № 2, стр. 25-37 8. Зуев В.А., Саченко А.В., Толпыго К.Б. Неравновесные приповерхностные процессы в 9. полупроводники и полупроводниковые приборы. Москва: Сов. радио, 1977, 256 с. 10. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х т. Книга 1. М.: Мир, 1984. 456 с. 11. Али Гасан оглы Гусейнов Полупроводниковые приборы Баку-2019 332с