Norwegian Journal of development of the International Science
Published January 12, 2024 | Version v1
Journal article Open

OPTICAL ABSORPTION EDGE OF TlIn1-xYbxS2 SINGLE CRYSTALS AND THE EF-FECT OF ELECTRON IRRADIATION ON THEIR BANDGAP

Description

Abstract

The effect of partial substitution of indium atoms by ytterbium atoms (0.5 and 1 mol%) on the band gap of TlInS2 single crystals irradiated with electrons with an energy of 2 MeV and a fluence of up to 1·1016 el/cm2 has been studied. The band gap from the measured absorption spectra at room temperature was determined using the Tauc method. It was found that electron irradiation leads to a decrease in the band gap in all TlIn1-xYbxS2 crystals studied. In the range of 77–200 K, the temperature dependence of the exciton absorption band in TlInS2 and TlIn0.995Yb0.005S2 single crystals was studied.

Other

Список литературы:

1.    Э.М.Керимова, Н.З.Гасанов. Кристаллофизика сложных полупроводников на основе соединений типа TlBIIIC2VI, включающих редкоземельные элементы и переходные металлы. AMEA Xəbərləri, Fizika və Astronomiya seriyası, 2017, №2, с.12-26.

2.    Ф.М.Сеидов, Э.М.Керимова, Н.З.Гасанов. Фазовые равновесия в системе TlInS2-TlYbS2 и электрические свойства кристаллов Tl2InYbS4. Неорг. Матер., 2011, т.47, №12, с.1429–1432.

3.    Сардарлы Р.М., Салманов Ф.Т., Алиева Н.А. Оптика и спектроскопия. 2019, т. 127, Вып. 3, с.420-424. 10.21883/OS.2019.09.48194.324-18

4.    El-Nahassa M.M., Sallamb M.M., AbdAl-Wahab A.H.S. Optical and photoelectric properties of TlInS2 layered single crystals. Current Applied Physics, 2009, vol. 9, р. 311–316.

5.    Керимова Э.М., Гасанов А.И., Заманова А.К., Искендерова П.М. Материалы межд. конф. «Оптика полупроводников-2006». Ульяновск. 2006. С. 21.

6.    Gasanly N.M. and Guler I. Int. J. Mod. Phys. B. World Scien. (Singapore). 2008. V. 2. P. 3931. 10.1142/s021797920804867x

7.    Шелег А.У., Гуртовой В.Г., Шевцова В.В., Алиев В.А. Кристаллография. 2014. Т. 59. № 2. С. 231. 10.7868/S0023476114020234

8.    Adamenko D., Say A., Martynyuk-Lototska I., Mys O., et. аl. Phase Transit. 2020. V. 93, No. 9. P. 935.

9.    Гасанов Н.З., Керимова Э.М., Сеидов Ф.М. и др. Известия НАН Азербайджана, сер. физ.-техн. и мат. наук. 2015, т.35, № 2, с.77.

10.    Omar A., Qasrawi A.F., Gasanly N.M. Temperature effects on the structural and optical properties of the TlInSe2xS2(1−x) mixed crystals (х=0.3). J. Alloys and Comp. Elsevier. 2017, V. 724, P. 98-102. 10.1016/j.jallcom.2017.06.337

11.    J.Tauc. Optical properties and electronic structure of amorphous Ge and Si. Materials Research Bulletin, 1968, v.3, p.37–46. doi:10.1016/0025-5408(68)90023-8

12.    Л.Т.Бугаенко, С.М.Рябых, А.Л.Бугаенко. Почти полная система средних ионных кристаллографических радиусов и ее использование для определения потенциалов ионизации. Вестник МГУ, сер.2, Химия, 2008, т.49, №6, с.363-384.

13.    Mathew JP., Varghese G., Mathew J. SOP Trans. Nano-Technol., 2014, v.1, №3, р.1.

Files

NJD_124-86-90.pdf

Files (798.5 kB)

Name Size Download all
md5:016d323c899c92eb9348abe6e95f8431
798.5 kB Preview Download