Published April 27, 2023 | Version v1
Journal article Open

КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА И ПРОГНОЗИРОВАНИЕ СРОКА СЛУЖБЫ ИК - СВЕТОДИОДОВ

Authors/Creators

  • 1. Ташкентский университет информационных технологий им. Мухаммада ал – Хоразми Ферганский филиал

Description

Предложен способ для контроля качества светодиодов и программа расчета для прогнозирования их срока службы. Разработана методика производственной сортировки светодиодов и оптоэлектронных устройств по временной стабильности позволяющие существенно  повысить долю выхода качественной и надёжной светодиодной продукции и спрогнозировать срок её службы. 

Files

1-2-3-10.pdf

Files (715.9 kB)

Name Size
md5:d8e60d30fc8f3bab2e2f13c1ecade5bd
715.9 kB Preview Download

Additional details

References

  • Михайлова, М. П., Моисеев, К. Д. & Яковлев, Ю. П. (2019). Открытие полупроводников AIII ВV: физические свойства и применение (Обзор). Журнал технической физики, 3, 291 –308, doi: 10.21883/ftp.2019.03.47278.8998.
  • Arlauskas, A., Adamonis, J. Adomavicius R. & Krotkus, A. (2013). Excitation spectroscopy of terahertz emitters and detectors made from AIIIBV semiconductors. 38th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz), Mainz, Germany, 1-2, doi: 10.1109/IRMMW-THz.2013.6665460.
  • Lu, Q., Zhuang, Q., Marshall, A., Kesaria, M., Beanland, R., & Krier, A. (2014). InSb quantum dots for the mid-infrared spectral range grown on GaAs substrates using metamorphic InAs buffer layers. Semiconductor Science and Technology, 29(7), 075011. doi:10.1088/0268-1242/29/7/075011.
  • Karunatilaka, D., Zafar, F., Kalavally, V., & Parthiban, R. (2015). LED Based Indoor Visible Light Communications: State of the Art. IEEE Communications Surveys & Tutorials, 17(3), 1649–1678. doi:10.1109/comst.2015.2417576.
  • Dragomir, R. B., & Pantelimon, B. (2012). Power LED heat removal measuring method. 2012 International Conference and Exposition on Electrical and Power Engineering. doi:10.1109/icepe.2012.6463576.
  • Астахова, А. П. et. al. (2010). Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/lnAsSbP для спектроскопии метана (λ= 3, 3 мкм). Физика и техника полупроводников, 44(2), 278-284.
  • Данилова, Т. Н., Журтанов, Б. Е., Именков, А. Н., & Яковлев, Ю. П. (2005). Светодиоды на основе твердых растворов GaSb для средней инфракрасной области спектра 1.6–4.4 мкм Обзор. Физика и техника полупроводников, 39(11), 1281.
  • Bender, V. C., Marchesan, T. B., & Alonso, J. M. (2015). Solid-State Lighting: A Concise Review of the State of the Art on LED and OLED Modeling. IEEE Industrial Electronics Magazine, 9(2), 6–16. doi:10.1109/mie.2014.2360324.
  • Сергеев, В. А., Фролов, И. В., & Радаев, О. А. (2017). Исследование связи степени дефектности светоизлучающих наногетероструктур зеленых InGaN/GaN-светодиодов с величиной порогового тока. Письма в журнал технической физики, 43(4), 89-93.
  • Шмидт, Н. М., Усиков, А. С., Шабунина, Е. И., Черняков, А. Е., Сахаров, А. В., Курин, С. Ю., ... & Макаров, Ю. Н. (2014). Исследование деградации внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/GaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии. Письма в Журнал технической физики, 40(13), 73-80.