DIOD REJIMIDA ULANGAN MAYDON TRANZISTORIGA YORUG'LIK TA'SIRINI O'RGANISH

Maqolada diod rejimida ulangan maydon tranzistoriga yorug’lik ta’siri o’rganilgan bo’lib, unga ko‘ra yoritilganlik intensivligining ortirilishi nurlanish yutilishining chuqurligi ortadi, p-n-o‘tishdagi kontakt potensiallar farqi kichrayib (n-qavatda diffuzion potensial to‘liq joylashgan) n-qavat kanali o‘tkazish qismi qalinligining ortishiga olib kelishi aniqlangan.