МЕТОДИКА ОПРЕДЕЛЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК ЗОН НА ОСНОВЕ АНАЛИЗА СПЕКТРОВ ФОТО- И УПРУГООТРАЖЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ

Развитие современной микроэлектроники тесно связано с получением и изучением свойств тонких пленок, толщина которых составляет несколько десятков Å. Такие пленки в основном получают в условиях высокого вакуума различными методами, например, методами напыления, эпитаксиального роста, ионной имплантации или ионного перемешивания.