Al-Farg'oniy avlodlari (The descendants of Al-Fargani)
Published December 25, 2024 | Version v2
Journal article Open

ДЕГРАДАЦИЯ СЭ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ИЗЛУЧЕНИЯ ВИДИМОЙ ОБЛАСТИ СПЕКТРА И ИОНИЗИРУЮЩЕЙ РАДИАЦИИ

Creators

  • 1. Кафедра естественных наук ТАТУ ФФ

Description

Исследование образцов Cu2-xS-Zny Cd1-yS с различным составом основных материалов (0, 05≤y≤ 0, 2), полученных на основе прессованных спеченных таблеток Zny Cd1-yS по методике, описанной в пункте 2.2 настоящей статьи.

Files

final_14_604-86-90-Movlonov.pdf

Files (866.9 kB)

Name Size Download all
md5:77f8f9bd50e95587b1d367e08592466f
866.9 kB Preview Download

Additional details

References

  • Barnett A.M., Bragagnolo J.A., Hall R.B., Phillips J.E., Meakin J.D., Achievement of 9, 15 % efficiency in the film CdS/Cu2S solar cells. – The 13th IEEE Photovoltaic Spec. Conf., Washington. D.C., 1978, New York., N.Y., 1978, pp.419-420.
  • Борщак В.А. Компьютерная обработка изображений, полученных при помощи сенсора на базе гетероперехода CdS – Cu2S. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012, №3. С.18- 20.
  • Windawi H.M., Performance and stability of Cu2S – CdS solar cells. The Conf. Rec. 9 th IEEE Photovoltaic Spec. Conf., Scottsdale Ariz, 1975. New York., N.Y., 1975, pp.464-467.
  • Разыков Т.М., Разыкова М.А. Электронномикрозондовый анализ и деградация фотопреобразователей Cu2-xS-CdS.Гелиотехника, 1980, №3, с.18- 21.
  • Торчинская Т.В., Мирзажанов М.А. Анализ элементарных механизмов деградации гетеропреобразователей типа Cu2S – CdS. Experimentelle Technik der Physik. 1984, v.32, №2, рр. 175 – 181.
  • Study of polycrystalline CdTe films by contact and contactless pulsed photo-ionization spectroscopy / E. Gaubas, D. Dobrovolskas, J. Vaitkus, N. Alimov [et al.] // Journal Thin Solid Films. – 2018. – № 660. – P. 231– 235.
  • CdTe-SiO2-Si-Al heterostructure photosensitivity control with deep impurity levels under external factors. S.Otajonov, N.Alimov, P.Movlonov, K.Botirov. Euroasion Journal of Semiconductors Science and Engineering 2020, №5 С. 22-25