Conference paper Open Access

Research of electrical parameters of the films of titanium oxide used in the formation of memristor's structures

Nagaichuk S.; Argunov D.; Troyan P.; Zhidik E.; Zmanovsky P.


DataCite XML Export

<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?>
<resource xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns="http://datacite.org/schema/kernel-4" xsi:schemaLocation="http://datacite.org/schema/kernel-4 http://schema.datacite.org/meta/kernel-4.1/metadata.xsd">
  <identifier identifierType="DOI">10.5281/zenodo.221339</identifier>
  <creators>
    <creator>
      <creatorName>Nagaichuk S.</creatorName>
    </creator>
    <creator>
      <creatorName>Argunov D.</creatorName>
    </creator>
    <creator>
      <creatorName>Troyan P.</creatorName>
    </creator>
    <creator>
      <creatorName>Zhidik E.</creatorName>
    </creator>
    <creator>
      <creatorName>Zmanovsky P.</creatorName>
    </creator>
  </creators>
  <titles>
    <title>Research of electrical parameters of the films of titanium oxide used in the formation of memristor's structures</title>
  </titles>
  <publisher>Zenodo</publisher>
  <publicationYear>2016</publicationYear>
  <subjects>
    <subject>memristor</subject>
    <subject>titanium oxide film TiO2 and TiOx</subject>
    <subject>electrophysical parameters</subject>
  </subjects>
  <dates>
    <date dateType="Issued">2016-12-26</date>
  </dates>
  <resourceType resourceTypeGeneral="Text">Conference paper</resourceType>
  <alternateIdentifiers>
    <alternateIdentifier alternateIdentifierType="url">https://zenodo.org/record/221339</alternateIdentifier>
  </alternateIdentifiers>
  <relatedIdentifiers>
    <relatedIdentifier relatedIdentifierType="ISBN" relationType="IsCompiledBy">978-5-9907782-3-8</relatedIdentifier>
    <relatedIdentifier relatedIdentifierType="URL" relationType="IsIdenticalTo">http://www.konferenc.com/nagaichuk</relatedIdentifier>
  </relatedIdentifiers>
  <rightsList>
    <rights rightsURI="http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/legalcode">Creative Commons Attribution 4.0 International</rights>
    <rights rightsURI="info:eu-repo/semantics/openAccess">Open Access</rights>
  </rightsList>
  <descriptions>
    <description descriptionType="Abstract">&lt;p&gt;Были изучены электрические свойства пленок оксида титана, которые были сделаны с помощью магнетронного распыления катода из титана, стехиометрические (TiO2) и нестехиометрические (TiOx) композиции используются для создания элементов энергонезависимой памяти мемристорные в. Это Показано что нестехиометрические TiOx пленки имеют более высокую проводимость. В структурах с двумя слоями диэлектрика TiO2-TiOx электрической прочности определяется электрической прочности пленок TiO2. Значение диэлектрической проницаемости TiO2 и TiOx пленок существенно различаются.&lt;/p&gt;</description>
  </descriptions>
</resource>
9
12
views
downloads
All versions This version
Views 99
Downloads 1212
Data volume 6.4 MB6.4 MB
Unique views 99
Unique downloads 1111

Share

Cite as